非接触雷射断层扫描检测技术
SSI雷射断层扫描检测技术是一种极为先进的非接触式非破坏性的量测及检验技术，这种技术能侦测物体里层的状况、瑕疵或量测其各层的厚度分布，在半导体业，它可以用来即时侦测wafer薄化过程的厚度或wafer bonding时的龟裂、平整度、空隙、气泡及贴合胶水的厚度，其他应用包括玻璃薄化过程的玻璃厚度即时检测或触控面板贴合胶水的厚度及分布，对多层材料也能进行各层材料的厚度或对材料分布均匀度及同质性进行分析。
异质键合结果及厚度
SSI 3D采层扫描测量仪器可做为评估晶片和载体或类似设计之间的粘合剂厚度，或计算整个晶圆图的总厚度变化。
可计算关键组合的结果变化并生成完整的检测3D图像数据或检测材料和载体或类似设计的总厚度。
SSI 3D采层扫描测量仪器可做为评估晶片和载体或类似设计之间的粘合剂厚度，或计算整个晶圆图的总厚度变化。
可计算关键组合的结果变化并生成完整的检测3D图像数据或检测材料和载体或类似设计的总厚度。
钝化或光刻胶层薄膜
该测量仪器可在产品晶圆的测试窗口或整个消隐晶圆上评估多达 4 个小至 5 nm 的薄层的厚度。在空白晶圆上，它生成完整的晶圆图并计算薄层的总厚度变化。
并可在产品上的测试窗口或消隐动物上评估工具 4 小至 5 纳米的薄层厚度。厚度变化。
该测量仪器可在产品晶圆的测试窗口或整个消隐晶圆上评估多达 4 个小至 5 nm 的薄层的厚度。在空白晶圆上，它生成完整的晶圆图并计算薄层的总厚度变化。
并可在产品上的测试窗口或消隐动物上评估工具 4 小至 5 纳米的薄层厚度。厚度变化。
剩余矽厚度
测量仪器可线上Real Time监控 研磨后评估填充铜的 TSV 上的矽厚度，以在蚀刻或进一步研磨步骤之前验证剩余的矽厚度。
可生成完整的晶圆图同时计算晶圆的剩余矽厚度变化。 SSI 断层扫描测量仪器在研磨后填充填充金属的矽厚度，确保激光或进一步步骤研磨之后的矽厚度。
测量仪器可线上Real Time监控 研磨后评估填充铜的 TSV 上的矽厚度，以在蚀刻或进一步研磨步骤之前验证剩余的矽厚度。
可生成完整的晶圆图同时计算晶圆的剩余矽厚度变化。 SSI 断层扫描测量仪器在研磨后填充填充金属的矽厚度，确保激光或进一步步骤研磨之后的矽厚度。
TSV深度
SSI 3D断层测量仪器评估开孔的深度以验证晶片上的深度分布。它生成完整的晶圆图并计算晶圆的 TSV 深度变化。
实验仪器连接开孔的深度以测量生成源上的深度释放。
SSI 3D断层测量仪器评估开孔的深度以验证晶片上的深度分布。它生成完整的晶圆图并计算晶圆的 TSV 深度变化。
实验仪器连接开孔的深度以测量生成源上的深度释放。
激光刻槽
SSI 3D断层扫描测量仪器评估激光凹槽轮廓的关键尺寸，包括透过激光切割或刀轮切格，做到事前事后交错分析工艺质量和参数互相交互结果。
SSI 3D断层扫描测量仪器评估激光凹槽轮廓的关键尺寸，包括透过激光切割或刀轮切格，做到事前事后交错分析工艺质量和参数互相交互结果。
关键特殊应用量测
SSI 3D可测量仪器根据球面上的切向梯度、曲率半径、单元高度、单元高度间距、评估具有薄膜厚度的 3D 单元。可计算参考平面相关的3D壳单元的共面性，以评估制造过程。
测量仪器评估晶片（全部）的矽厚度(EX: 碳化矽、蓝宝石、砷化镓以及玻璃)，生成完整的3D晶片图并计算晶片的总厚度变化。
SSI 3D可测量仪器根据球面上的切向梯度、曲率半径、单元高度、单元高度间距、评估具有薄膜厚度的 3D 单元。可计算参考平面相关的3D壳单元的共面性，以评估制造过程。
测量仪器评估晶片（全部）的矽厚度(EX: 碳化矽、蓝宝石、砷化镓以及玻璃)，生成完整的3D晶片图并计算晶片的总厚度变化。
Wafer翘区及弯曲
可直接检测Wafer((矽、碳化矽、蓝宝石、砷化镓、玻璃和高掺杂晶片)有无BG 胶带的空白和产品晶片的弯曲和翘曲。
可直接检测Wafer((矽、碳化矽、蓝宝石、砷化镓、玻璃和高掺杂晶片)有无BG 胶带的空白和产品晶片的弯曲和翘曲。
非接触雷射断层扫描侦测技术
